IGBT y Diodo Dados

Las pérdidas en conducción de los IGBTs son algo superiores comparadas con los GTOs e IGCTs. Como contrapartida, las pérdidas en el estado de bloqueo (desconectado) son inferiores. Por este motivo, la frecuencia óptima de conmutación de los IGBTs es superior a la de los GTOs e IGCTs con idénticas características nominales.

Los IGBTs pueden emplearse sin circuitos protectores contra sobretensiones/sobreintensidades ("snubbers"), permitiendo de este modo implementar topologías de sistemas extremadamente sencillas. El precio que se ha de pagar por esta simplicidad es que en el silicio se disipa una mayor parte de las pérdidas del sistema, reduciendo de este modo la potencia máxima de conmutación debido a limitaciones térmicas.

Una característica singular de todos los IGBTs es su capacidad para resistir cortocircuitos (paso de una corriente elevada y tensión elevada simultáneamente entre los terminales del dispositivo). En el caso de cortocircuito, la corriente que circula a través de los IGBTs sigue estando limitada a un nivel impuesto por el diseño del dispositivo, siendo posible desconectar de manera segura el cortocircuito antes de transcurridos 10 microsegundos manteniendo el control normal de la puerta y sin que el dispositivo sufra daños permanentes.

Los IGBTs se fabrican en forma de pequeñas pastillas o chips semiconductores con un tamaño típico de 1 cm2 Junto con sus diodos acompañantes, se agrupan formando módulos con configuraciones eléctricas y mecánicas diferentes y diversas características eléctricas.

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